CVD等離子沉淀技術

納晶真空等離子體系統

采用了系統優化的設計思想和多物理場計算機輔助設計手段。關鍵單元部件如高效率磁控陰極，電弧陰極，大束流等離子體源等具有******（美國Nanocs）。系統具有專業化、模塊化、標準化的特點。系統設計和制造與材料制備工藝緊密結合，使整機系統具有優良的性價比。可應用于高密度磁性存儲器、傳感器，薄膜電阻、電容、發光二極管、平面顯示器、太陽能電池及各種功能薄膜的制備。

ü       適于多種薄膜材料的沉積/刻蝕/表面處理，有強的適用性

ü       系統工業生產延展性好，制備的相關材料和工藝可直接產業化

ü       國際標準設計，模塊化制造集成，有優良的性價比

樣品表面：可實現等離子體在線清洗、處理等。

樣品傳輸：采用真空閥鎖，磁力桿傳輸。

超高真空系統：分子泵、機械泵、真空管道及閥門等。

真空測量：低、高復合真空計，數顯、自動切換。

電源：直流及射頻（13.56MHz，500－2000W）電源。

控制：手動/自動控制，計算機控制。

系統功能介紹

1、多靶磁控濺射沉積系統：

ü       濺射方式：共聚焦沉積；垂直沉積；對向靶沉積。

ü       磁控陰極：2，3，4英寸圓形磁控陰極，矩形大尺寸磁控陰極。

ü       沉積材料：金屬薄膜, 合金薄膜, 多層薄膜，磁性薄膜，金屬氧化物、氮化物、碳化物等。

ü       真空室：主真空室，輔助真空室，樣品安裝、傳動、切換。

2、多功能磁控等離子體系統：

薄膜材料沉積, 刻蝕; 納米材料沉積; 材料表面等離子體處理等

ü       等離子體化學氣相沉積(PECVD):硅基和碳基薄膜材料（納米管、類金剛石、氧化硅、氮化硅等的沉積）；

ü       材料的表面等離子體清洗、處理等；

3、多功能等離子體實驗系統：

集磁控濺射和過濾陰極電弧等離子體沉積功能為一體，小型化，高效，高性價比。

4、脈沖激光等離子體系統：

采用準分子脈沖激光等離子體制備各種薄膜和納米粉體。

5、過濾陰極電弧等離子體沉積系統：

高速制備薄膜和納米粉體，粒子離化率極高，束流大。

6、離子源輔助沉積刻蝕系統：

采用霍爾離子源，用于薄膜沉積，等離子體處理，清洗及輔助沉積。

7、高密度等離子體表面處理系統：

采用感應式射頻（ICP）或微波源產生高密度等離子體，高效低溫等離子體表面氮化、碳化和大面積離子注入。 
薄膜技術在光電器件、半導體器件、微電子學等重要領域中,都有著廣泛的應甩,并起著關鍵作用。近幾年來,薄膜技術發展很快,,相繼出現了等離子CVD、光CVD、微波CVD等先進的成膜技術。ECR等離子CvD就是在這些技術的基礎上,新開發出來的更先進的成膜技術。ECR等離子CvD是電